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突破!科研人員首次實(shí)現(xiàn)亞1納米柵極長(zhǎng)度晶體管
發(fā)布日期: 2022-03-16 14:56:47 來(lái)源: 中國(guó)科學(xué)報(bào)

晶體管是芯片的核心元器件。更小的柵極尺寸可以使得芯片上集成更多的晶體管,并帶來(lái)性能上的提升。近日,清華大學(xué)集成電路學(xué)院教授任天令團(tuán)隊(duì)在小尺寸晶體管研究方面取得重要進(jìn)展,首次實(shí)現(xiàn)了具有亞1納米柵極長(zhǎng)度的晶體管,該晶體管具有良好的電學(xué)性能。相關(guān)成果以“具有亞1納米柵極長(zhǎng)度的垂直硫化鉬晶體管”為題,在線發(fā)表在《自然》上。

1965年,英特爾公司創(chuàng)始人之一的戈登·摩爾提出:“集成電路芯片上可容納的晶體管數(shù)目,每隔18-24個(gè)月便會(huì)增加一倍,微處理器的性能提高一倍,或價(jià)格下降一半。”該論斷也被稱為“摩爾定律”。過(guò)去幾十年,晶體管的柵極尺寸在摩爾定律的推動(dòng)下不斷微縮,然而近年來(lái),隨著晶體管的物理尺寸進(jìn)入納米尺度,電子遷移率降低、漏電流增大、靜態(tài)功耗增大等短溝道效應(yīng)越來(lái)越嚴(yán)重,這使得新結(jié)構(gòu)和新材料的開(kāi)發(fā)迫在眉睫。

根據(jù)國(guó)際器件和系統(tǒng)路線圖(IRDS2021)報(bào)道,目前主流工業(yè)界晶體管的柵極尺寸在12納米以上,如何促進(jìn)晶體管關(guān)鍵尺寸的進(jìn)一步微縮,引起了業(yè)界研究人員的廣泛關(guān)注。

在極短?hào)砰L(zhǎng)晶體管方面,學(xué)術(shù)界此前也做出了很多探索。2012年,日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所在國(guó)際電子器件大會(huì)報(bào)道了基于絕緣襯底上硅實(shí)現(xiàn)V形的平面無(wú)結(jié)型硅基晶體管,等效的物理柵長(zhǎng)僅為3納米。

2016年,美國(guó)的勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室和斯坦福大學(xué)在《科學(xué)》期刊報(bào)道了基于金屬性碳納米管材料實(shí)現(xiàn)了物理柵長(zhǎng)為1納米的平面硫化鉬晶體管。

為進(jìn)一步突破1納米以下柵長(zhǎng)晶體管的瓶頸,任天令研究團(tuán)隊(duì)利用石墨烯薄膜超薄的單原子層厚度和優(yōu)異的導(dǎo)電性能作為柵極,通過(guò)石墨烯側(cè)向電場(chǎng)控制垂直的二硫化鉬(MoS2)溝道的開(kāi)關(guān),從而使等效的物理柵長(zhǎng)度降為0.34納米。再通過(guò)在石墨烯表面沉積金屬鋁并使其自然氧化,完成了對(duì)石墨烯垂直方向電場(chǎng)的屏蔽。此后,科研人員使用原子層沉積的二氧化鉿作為柵極介質(zhì)、化學(xué)氣相沉積的單層二維二硫化鉬作為溝道,最終完成了具有亞1納米柵極長(zhǎng)度的晶體管。

研究發(fā)現(xiàn),相較于體硅材料,單層二維二硫化鉬具有更大的有效電子質(zhì)量和更低的介電常數(shù),在亞1納米物理柵長(zhǎng)的控制下,晶體管能有效的開(kāi)啟、關(guān)閉,其關(guān)態(tài)電流在pA量級(jí)。

基于工藝計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)(TCAD)的仿真結(jié)果進(jìn)一步表明,石墨烯邊緣電場(chǎng)對(duì)垂直二硫化鉬溝道的有效調(diào)控,預(yù)測(cè)了在同時(shí)縮短溝道長(zhǎng)度條件下,晶體管的電學(xué)性能情況。研究人員表示,這項(xiàng)工作推動(dòng)了摩爾定律進(jìn)一步發(fā)展到亞1納米級(jí)別,同時(shí)為二維薄膜在未來(lái)集成電路的應(yīng)用提供了參考依據(jù)。(作者:陳彬)

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